IRF530S
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Artikelnummer
IRF530S
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15490 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF530S
IRF530S Elektroniska komponenter
IRF530S Försäljning
IRF530S Leverantör
IRF530S Distributör
IRF530S Datatabell
IRF530S Foton
IRF530S Pris
IRF530S Erbjudande
IRF530S Lägsta pris
IRF530S Sök
IRF530S Köp av
IRF530S Chip