Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF510L
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
Artikelnummer
IRF510L
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
TO-262-3
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41741 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF510L
IRF510L Elektroniska komponenter
IRF510L Försäljning
IRF510L Leverantör
IRF510L Distributör
IRF510L Datatabell
IRF510L Foton
IRF510L Pris
IRF510L Erbjudande
IRF510L Lägsta pris
IRF510L Sök
IRF510L Köp av
IRF510L Chip