IRF510STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Artikelnummer
IRF510STRLPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
-
Effektförlust (max)
43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11707 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF510STRLPBF
IRF510STRLPBF Elektroniska komponenter
IRF510STRLPBF Försäljning
IRF510STRLPBF Leverantör
IRF510STRLPBF Distributör
IRF510STRLPBF Datatabell
IRF510STRLPBF Foton
IRF510STRLPBF Pris
IRF510STRLPBF Erbjudande
IRF510STRLPBF Lägsta pris
IRF510STRLPBF Sök
IRF510STRLPBF Köp av
IRF510STRLPBF Chip