IRF510SPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Artikelnummer
IRF510SPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35107 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF510SPBF
IRF510SPBF Elektroniska komponenter
IRF510SPBF Försäljning
IRF510SPBF Leverantör
IRF510SPBF Distributör
IRF510SPBF Datatabell
IRF510SPBF Foton
IRF510SPBF Pris
IRF510SPBF Erbjudande
IRF510SPBF Lägsta pris
IRF510SPBF Sök
IRF510SPBF Köp av
IRF510SPBF Chip