Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF510STRL

IRF510STRL

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Artikelnummer
IRF510STRL
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39851 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IRF510STRL
IRF510STRL Elektroniska komponenter
IRF510STRL Försäljning
IRF510STRL Leverantör
IRF510STRL Distributör
IRF510STRL Datatabell
IRF510STRL Foton
IRF510STRL Pris
IRF510STRL Erbjudande
IRF510STRL Lägsta pris
IRF510STRL Sök
IRF510STRL Köp av
IRF510STRL Chip