IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Artikelnummer
IRF510PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37090 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF510PBF
IRF510PBF Elektroniska komponenter
IRF510PBF Försäljning
IRF510PBF Leverantör
IRF510PBF Distributör
IRF510PBF Datatabell
IRF510PBF Foton
IRF510PBF Pris
IRF510PBF Erbjudande
IRF510PBF Lägsta pris
IRF510PBF Sök
IRF510PBF Köp av
IRF510PBF Chip