IRF530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
Artikelnummer
IRF530PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
88W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41620 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF530PBF
IRF530PBF Elektroniska komponenter
IRF530PBF Försäljning
IRF530PBF Leverantör
IRF530PBF Distributör
IRF530PBF Datatabell
IRF530PBF Foton
IRF530PBF Pris
IRF530PBF Erbjudande
IRF530PBF Lägsta pris
IRF530PBF Sök
IRF530PBF Köp av
IRF530PBF Chip