IRF520S
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Artikelnummer
IRF520S
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7867 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF520S
IRF520S Elektroniska komponenter
IRF520S Försäljning
IRF520S Leverantör
IRF520S Distributör
IRF520S Datatabell
IRF520S Foton
IRF520S Pris
IRF520S Erbjudande
IRF520S Lägsta pris
IRF520S Sök
IRF520S Köp av
IRF520S Chip