IRF510STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Artikelnummer
IRF510STRRPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (D²Pak)
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35741 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF510STRRPBF
IRF510STRRPBF Elektroniska komponenter
IRF510STRRPBF Försäljning
IRF510STRRPBF Leverantör
IRF510STRRPBF Distributör
IRF510STRRPBF Datatabell
IRF510STRRPBF Foton
IRF510STRRPBF Pris
IRF510STRRPBF Erbjudande
IRF510STRRPBF Lägsta pris
IRF510STRRPBF Sök
IRF510STRRPBF Köp av
IRF510STRRPBF Chip