Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
IRF510STRR
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Artikelnummer
IRF510STRR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12407 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF510STRR
IRF510STRR Elektroniska komponenter
IRF510STRR Försäljning
IRF510STRR Leverantör
IRF510STRR Distributör
IRF510STRR Datatabell
IRF510STRR Foton
IRF510STRR Pris
IRF510STRR Erbjudande
IRF510STRR Lägsta pris
IRF510STRR Sök
IRF510STRR Köp av
IRF510STRR Chip