FQB3P50TM
MOSFET P-CH 500V 2.7A D2PAK
Artikelnummer
FQB3P50TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.9 Ohm @ 1.35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42790 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB3P50TM
FQB3P50TM Elektroniska komponenter
FQB3P50TM Försäljning
FQB3P50TM Leverantör
FQB3P50TM Distributör
FQB3P50TM Datatabell
FQB3P50TM Foton
FQB3P50TM Pris
FQB3P50TM Erbjudande
FQB3P50TM Lägsta pris
FQB3P50TM Sök
FQB3P50TM Köp av
FQB3P50TM Chip