FQB33N10LTM
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Artikelnummer
FQB33N10LTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 127W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
52 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1630pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31018 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB33N10LTM
FQB33N10LTM Elektroniska komponenter
FQB33N10LTM Försäljning
FQB33N10LTM Leverantör
FQB33N10LTM Distributör
FQB33N10LTM Datatabell
FQB33N10LTM Foton
FQB33N10LTM Pris
FQB33N10LTM Erbjudande
FQB33N10LTM Lägsta pris
FQB33N10LTM Sök
FQB33N10LTM Köp av
FQB33N10LTM Chip