FQB30N06TM
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Artikelnummer
FQB30N06TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 79W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
945pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35024 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB30N06TM
FQB30N06TM Elektroniska komponenter
FQB30N06TM Försäljning
FQB30N06TM Leverantör
FQB30N06TM Distributör
FQB30N06TM Datatabell
FQB30N06TM Foton
FQB30N06TM Pris
FQB30N06TM Erbjudande
FQB30N06TM Lägsta pris
FQB30N06TM Sök
FQB30N06TM Köp av
FQB30N06TM Chip