FQB32N20CTM
MOSFET N-CH 200V 28A D2PAK
Artikelnummer
FQB32N20CTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
82 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17821 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB32N20CTM
FQB32N20CTM Elektroniska komponenter
FQB32N20CTM Försäljning
FQB32N20CTM Leverantör
FQB32N20CTM Distributör
FQB32N20CTM Datatabell
FQB32N20CTM Foton
FQB32N20CTM Pris
FQB32N20CTM Erbjudande
FQB32N20CTM Lägsta pris
FQB32N20CTM Sök
FQB32N20CTM Köp av
FQB32N20CTM Chip