FQB32N12V2TM
MOSFET N-CH 120V 32A D2PAK
Artikelnummer
FQB32N12V2TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
120V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1860pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21468 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB32N12V2TM
FQB32N12V2TM Elektroniska komponenter
FQB32N12V2TM Försäljning
FQB32N12V2TM Leverantör
FQB32N12V2TM Distributör
FQB32N12V2TM Datatabell
FQB32N12V2TM Foton
FQB32N12V2TM Pris
FQB32N12V2TM Erbjudande
FQB32N12V2TM Lägsta pris
FQB32N12V2TM Sök
FQB32N12V2TM Köp av
FQB32N12V2TM Chip