FQB30N06LTM
MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
Artikelnummer
FQB30N06LTM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 79W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1040pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20540 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB30N06LTM
FQB30N06LTM Elektroniska komponenter
FQB30N06LTM Försäljning
FQB30N06LTM Leverantör
FQB30N06LTM Distributör
FQB30N06LTM Datatabell
FQB30N06LTM Foton
FQB30N06LTM Pris
FQB30N06LTM Erbjudande
FQB30N06LTM Lägsta pris
FQB30N06LTM Sök
FQB30N06LTM Köp av
FQB30N06LTM Chip