FQB3N90TM
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
Artikelnummer
FQB3N90TM
Tillverkare/varumärke
Serier
QFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
900V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.25 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
910pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15342 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av FQB3N90TM
FQB3N90TM Elektroniska komponenter
FQB3N90TM Försäljning
FQB3N90TM Leverantör
FQB3N90TM Distributör
FQB3N90TM Datatabell
FQB3N90TM Foton
FQB3N90TM Pris
FQB3N90TM Erbjudande
FQB3N90TM Lägsta pris
FQB3N90TM Sök
FQB3N90TM Köp av
FQB3N90TM Chip