IXTT6N120
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-268
Artikelnummer
IXTT6N120
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.6 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1950pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15848 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT6N120
IXTT6N120 Elektroniska komponenter
IXTT6N120 Försäljning
IXTT6N120 Leverantör
IXTT6N120 Distributör
IXTT6N120 Datatabell
IXTT6N120 Foton
IXTT6N120 Pris
IXTT6N120 Erbjudande
IXTT6N120 Lägsta pris
IXTT6N120 Sök
IXTT6N120 Köp av
IXTT6N120 Chip