IXTT10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
Artikelnummer
IXTT10N100D2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
695W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5320pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49770 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT10N100D2
IXTT10N100D2 Elektroniska komponenter
IXTT10N100D2 Försäljning
IXTT10N100D2 Leverantör
IXTT10N100D2 Distributör
IXTT10N100D2 Datatabell
IXTT10N100D2 Foton
IXTT10N100D2 Pris
IXTT10N100D2 Erbjudande
IXTT10N100D2 Lägsta pris
IXTT10N100D2 Sök
IXTT10N100D2 Köp av
IXTT10N100D2 Chip