IXTT100N25P
MOSFET N-CH 250V 100A TO-268
Artikelnummer
IXTT100N25P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
600W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6300pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29083 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT100N25P
IXTT100N25P Elektroniska komponenter
IXTT100N25P Försäljning
IXTT100N25P Leverantör
IXTT100N25P Distributör
IXTT100N25P Datatabell
IXTT100N25P Foton
IXTT100N25P Pris
IXTT100N25P Erbjudande
IXTT100N25P Lägsta pris
IXTT100N25P Sök
IXTT100N25P Köp av
IXTT100N25P Chip