IXTT110N10L2
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
Artikelnummer
IXTT110N10L2
Tillverkare/varumärke
Serier
Linear L2™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
600W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45004 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT110N10L2
IXTT110N10L2 Elektroniska komponenter
IXTT110N10L2 Försäljning
IXTT110N10L2 Leverantör
IXTT110N10L2 Distributör
IXTT110N10L2 Datatabell
IXTT110N10L2 Foton
IXTT110N10L2 Pris
IXTT110N10L2 Erbjudande
IXTT110N10L2 Lägsta pris
IXTT110N10L2 Sök
IXTT110N10L2 Köp av
IXTT110N10L2 Chip