IXTT10P50
MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
Artikelnummer
IXTT10P50
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8790 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT10P50
IXTT10P50 Elektroniska komponenter
IXTT10P50 Försäljning
IXTT10P50 Leverantör
IXTT10P50 Distributör
IXTT10P50 Datatabell
IXTT10P50 Foton
IXTT10P50 Pris
IXTT10P50 Erbjudande
IXTT10P50 Lägsta pris
IXTT10P50 Sök
IXTT10P50 Köp av
IXTT10P50 Chip