IXTT10P60
MOSFET P-CH 600V 10A TO-268
Artikelnummer
IXTT10P60
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35274 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT10P60
IXTT10P60 Elektroniska komponenter
IXTT10P60 Försäljning
IXTT10P60 Leverantör
IXTT10P60 Distributör
IXTT10P60 Datatabell
IXTT10P60 Foton
IXTT10P60 Pris
IXTT10P60 Erbjudande
IXTT10P60 Lägsta pris
IXTT10P60 Sök
IXTT10P60 Köp av
IXTT10P60 Chip