Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IXTT60N10

IXTT60N10

MOSFET N-CH 100V 60A TO-268
Artikelnummer
IXTT60N10
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3200pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49717 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IXTT60N10
IXTT60N10 Elektroniska komponenter
IXTT60N10 Försäljning
IXTT60N10 Leverantör
IXTT60N10 Distributör
IXTT60N10 Datatabell
IXTT60N10 Foton
IXTT60N10 Pris
IXTT60N10 Erbjudande
IXTT60N10 Lägsta pris
IXTT60N10 Sök
IXTT60N10 Köp av
IXTT60N10 Chip