IXTT52N30P
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
Artikelnummer
IXTT52N30P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
400W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
300V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
66 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3490pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23406 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT52N30P
IXTT52N30P Elektroniska komponenter
IXTT52N30P Försäljning
IXTT52N30P Leverantör
IXTT52N30P Distributör
IXTT52N30P Datatabell
IXTT52N30P Foton
IXTT52N30P Pris
IXTT52N30P Erbjudande
IXTT52N30P Lägsta pris
IXTT52N30P Sök
IXTT52N30P Köp av
IXTT52N30P Chip