IXTT50P10
MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
Artikelnummer
IXTT50P10
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4350pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40798 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT50P10
IXTT50P10 Elektroniska komponenter
IXTT50P10 Försäljning
IXTT50P10 Leverantör
IXTT50P10 Distributör
IXTT50P10 Datatabell
IXTT50P10 Foton
IXTT50P10 Pris
IXTT50P10 Erbjudande
IXTT50P10 Lägsta pris
IXTT50P10 Sök
IXTT50P10 Köp av
IXTT50P10 Chip