IXTT4N150HV
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268
Artikelnummer
IXTT4N150HV
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
280W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1576pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27059 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT4N150HV
IXTT4N150HV Elektroniska komponenter
IXTT4N150HV Försäljning
IXTT4N150HV Leverantör
IXTT4N150HV Distributör
IXTT4N150HV Datatabell
IXTT4N150HV Foton
IXTT4N150HV Pris
IXTT4N150HV Erbjudande
IXTT4N150HV Lägsta pris
IXTT4N150HV Sök
IXTT4N150HV Köp av
IXTT4N150HV Chip