IXTT3N200P3HV
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Artikelnummer
IXTT3N200P3HV
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
520W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
2000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1860pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7748 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV Elektroniska komponenter
IXTT3N200P3HV Försäljning
IXTT3N200P3HV Leverantör
IXTT3N200P3HV Distributör
IXTT3N200P3HV Datatabell
IXTT3N200P3HV Foton
IXTT3N200P3HV Pris
IXTT3N200P3HV Erbjudande
IXTT3N200P3HV Lägsta pris
IXTT3N200P3HV Sök
IXTT3N200P3HV Köp av
IXTT3N200P3HV Chip