IXTT2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Artikelnummer
IXTT2N170D2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
568W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1700V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tj)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3650pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41488 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT2N170D2
IXTT2N170D2 Elektroniska komponenter
IXTT2N170D2 Försäljning
IXTT2N170D2 Leverantör
IXTT2N170D2 Distributör
IXTT2N170D2 Datatabell
IXTT2N170D2 Foton
IXTT2N170D2 Pris
IXTT2N170D2 Erbjudande
IXTT2N170D2 Lägsta pris
IXTT2N170D2 Sök
IXTT2N170D2 Köp av
IXTT2N170D2 Chip