IXTT26N50P
MOSFET N-CH 500V 26A TO-268
Artikelnummer
IXTT26N50P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHV™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
400W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3600pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18543 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT26N50P
IXTT26N50P Elektroniska komponenter
IXTT26N50P Försäljning
IXTT26N50P Leverantör
IXTT26N50P Distributör
IXTT26N50P Datatabell
IXTT26N50P Foton
IXTT26N50P Pris
IXTT26N50P Erbjudande
IXTT26N50P Lägsta pris
IXTT26N50P Sök
IXTT26N50P Köp av
IXTT26N50P Chip