IXTT20N50D
MOSFET N-CH 500V 20A TO-268
Artikelnummer
IXTT20N50D
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
400W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
330 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 48428 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT20N50D
IXTT20N50D Elektroniska komponenter
IXTT20N50D Försäljning
IXTT20N50D Leverantör
IXTT20N50D Distributör
IXTT20N50D Datatabell
IXTT20N50D Foton
IXTT20N50D Pris
IXTT20N50D Erbjudande
IXTT20N50D Lägsta pris
IXTT20N50D Sök
IXTT20N50D Köp av
IXTT20N50D Chip