IXTT1N300P3HV
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Artikelnummer
IXTT1N300P3HV
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
195W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
3000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30.6nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
895pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25765 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT1N300P3HV
IXTT1N300P3HV Elektroniska komponenter
IXTT1N300P3HV Försäljning
IXTT1N300P3HV Leverantör
IXTT1N300P3HV Distributör
IXTT1N300P3HV Datatabell
IXTT1N300P3HV Foton
IXTT1N300P3HV Pris
IXTT1N300P3HV Erbjudande
IXTT1N300P3HV Lägsta pris
IXTT1N300P3HV Sök
IXTT1N300P3HV Köp av
IXTT1N300P3HV Chip