IXTT1N100
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
Artikelnummer
IXTT1N100
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
60W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
1000V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14256 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT1N100
IXTT1N100 Elektroniska komponenter
IXTT1N100 Försäljning
IXTT1N100 Leverantör
IXTT1N100 Distributör
IXTT1N100 Datatabell
IXTT1N100 Foton
IXTT1N100 Pris
IXTT1N100 Erbjudande
IXTT1N100 Lägsta pris
IXTT1N100 Sök
IXTT1N100 Köp av
IXTT1N100 Chip