IXTT16N10D2
MOSFET N-CH 100V 16A TO-268
Artikelnummer
IXTT16N10D2
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
830W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Depletion Mode
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 8A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
225nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
0V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23954 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT16N10D2
IXTT16N10D2 Elektroniska komponenter
IXTT16N10D2 Försäljning
IXTT16N10D2 Leverantör
IXTT16N10D2 Distributör
IXTT16N10D2 Datatabell
IXTT16N10D2 Foton
IXTT16N10D2 Pris
IXTT16N10D2 Erbjudande
IXTT16N10D2 Lägsta pris
IXTT16N10D2 Sök
IXTT16N10D2 Köp av
IXTT16N10D2 Chip