IXTT140N10P
MOSFET N-CH 100V 140A TO-268
Artikelnummer
IXTT140N10P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
600W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
140A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V, 15V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12189 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT140N10P
IXTT140N10P Elektroniska komponenter
IXTT140N10P Försäljning
IXTT140N10P Leverantör
IXTT140N10P Distributör
IXTT140N10P Datatabell
IXTT140N10P Foton
IXTT140N10P Pris
IXTT140N10P Erbjudande
IXTT140N10P Lägsta pris
IXTT140N10P Sök
IXTT140N10P Köp av
IXTT140N10P Chip