IXTT11P50
MOSFET P-CH 500V 11A TO-268
Artikelnummer
IXTT11P50
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35021 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT11P50
IXTT11P50 Elektroniska komponenter
IXTT11P50 Försäljning
IXTT11P50 Leverantör
IXTT11P50 Distributör
IXTT11P50 Datatabell
IXTT11P50 Foton
IXTT11P50 Pris
IXTT11P50 Erbjudande
IXTT11P50 Lägsta pris
IXTT11P50 Sök
IXTT11P50 Köp av
IXTT11P50 Chip