IXTT110N10P
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
Artikelnummer
IXTT110N10P
Tillverkare/varumärke
Serier
PolarHT™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Leverantörsenhetspaket
TO-268
Effektförlust (max)
480W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3550pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33234 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IXTT110N10P
IXTT110N10P Elektroniska komponenter
IXTT110N10P Försäljning
IXTT110N10P Leverantör
IXTT110N10P Distributör
IXTT110N10P Datatabell
IXTT110N10P Foton
IXTT110N10P Pris
IXTT110N10P Erbjudande
IXTT110N10P Lägsta pris
IXTT110N10P Sök
IXTT110N10P Köp av
IXTT110N10P Chip