IRF5810
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Artikelnummer
IRF5810
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Driftstemperatur
-
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Effekt - Max
960mW
Leverantörsenhetspaket
6-TSOP
FET typ
2 P-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.9A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8711 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF5810
IRF5810 Elektroniska komponenter
IRF5810 Försäljning
IRF5810 Leverantör
IRF5810 Distributör
IRF5810 Datatabell
IRF5810 Foton
IRF5810 Pris
IRF5810 Erbjudande
IRF5810 Lägsta pris
IRF5810 Sök
IRF5810 Köp av
IRF5810 Chip