IRF5210PBF
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
Artikelnummer
IRF5210PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
200W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29497 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRF5210PBF
IRF5210PBF Elektroniska komponenter
IRF5210PBF Försäljning
IRF5210PBF Leverantör
IRF5210PBF Distributör
IRF5210PBF Datatabell
IRF5210PBF Foton
IRF5210PBF Pris
IRF5210PBF Erbjudande
IRF5210PBF Lägsta pris
IRF5210PBF Sök
IRF5210PBF Köp av
IRF5210PBF Chip