IPI037N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Artikelnummer
IPI037N08N3GHKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3
Effektförlust (max)
214W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.75 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 155µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
117nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8110pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15641 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI037N08N3GHKSA1
IPI037N08N3GHKSA1 Elektroniska komponenter
IPI037N08N3GHKSA1 Försäljning
IPI037N08N3GHKSA1 Leverantör
IPI037N08N3GHKSA1 Distributör
IPI037N08N3GHKSA1 Datatabell
IPI037N08N3GHKSA1 Foton
IPI037N08N3GHKSA1 Pris
IPI037N08N3GHKSA1 Erbjudande
IPI037N08N3GHKSA1 Lägsta pris
IPI037N08N3GHKSA1 Sök
IPI037N08N3GHKSA1 Köp av
IPI037N08N3GHKSA1 Chip