IPI024N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Artikelnummer
IPI024N06N3GHKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 196µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
275nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 19493 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI024N06N3GHKSA1
IPI024N06N3GHKSA1 Elektroniska komponenter
IPI024N06N3GHKSA1 Försäljning
IPI024N06N3GHKSA1 Leverantör
IPI024N06N3GHKSA1 Distributör
IPI024N06N3GHKSA1 Datatabell
IPI024N06N3GHKSA1 Foton
IPI024N06N3GHKSA1 Pris
IPI024N06N3GHKSA1 Erbjudande
IPI024N06N3GHKSA1 Lägsta pris
IPI024N06N3GHKSA1 Sök
IPI024N06N3GHKSA1 Köp av
IPI024N06N3GHKSA1 Chip