IPI029N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3
Artikelnummer
IPI029N06NAKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3
Effektförlust (max)
3W (Ta), 136W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 75µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34435 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI029N06NAKSA1
IPI029N06NAKSA1 Elektroniska komponenter
IPI029N06NAKSA1 Försäljning
IPI029N06NAKSA1 Leverantör
IPI029N06NAKSA1 Distributör
IPI029N06NAKSA1 Datatabell
IPI029N06NAKSA1 Foton
IPI029N06NAKSA1 Pris
IPI029N06NAKSA1 Erbjudande
IPI029N06NAKSA1 Lägsta pris
IPI029N06NAKSA1 Sök
IPI029N06NAKSA1 Köp av
IPI029N06NAKSA1 Chip