IPI028N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
Artikelnummer
IPI028N08N3GHKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 270µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14200pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17180 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI028N08N3GHKSA1
IPI028N08N3GHKSA1 Elektroniska komponenter
IPI028N08N3GHKSA1 Försäljning
IPI028N08N3GHKSA1 Leverantör
IPI028N08N3GHKSA1 Distributör
IPI028N08N3GHKSA1 Datatabell
IPI028N08N3GHKSA1 Foton
IPI028N08N3GHKSA1 Pris
IPI028N08N3GHKSA1 Erbjudande
IPI028N08N3GHKSA1 Lägsta pris
IPI028N08N3GHKSA1 Sök
IPI028N08N3GHKSA1 Köp av
IPI028N08N3GHKSA1 Chip