IPI030N10N3GHKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Artikelnummer
IPI030N10N3GHKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 275µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
206nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14800pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5987 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI030N10N3GHKSA1
IPI030N10N3GHKSA1 Elektroniska komponenter
IPI030N10N3GHKSA1 Försäljning
IPI030N10N3GHKSA1 Leverantör
IPI030N10N3GHKSA1 Distributör
IPI030N10N3GHKSA1 Datatabell
IPI030N10N3GHKSA1 Foton
IPI030N10N3GHKSA1 Pris
IPI030N10N3GHKSA1 Erbjudande
IPI030N10N3GHKSA1 Lägsta pris
IPI030N10N3GHKSA1 Sök
IPI030N10N3GHKSA1 Köp av
IPI030N10N3GHKSA1 Chip