IPI020N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3
Artikelnummer
IPI020N06NAKSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3
Effektförlust (max)
3W (Ta), 214W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
29A (Ta), 120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 143µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
106nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7800pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29957 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI020N06NAKSA1
IPI020N06NAKSA1 Elektroniska komponenter
IPI020N06NAKSA1 Försäljning
IPI020N06NAKSA1 Leverantör
IPI020N06NAKSA1 Distributör
IPI020N06NAKSA1 Datatabell
IPI020N06NAKSA1 Foton
IPI020N06NAKSA1 Pris
IPI020N06NAKSA1 Erbjudande
IPI020N06NAKSA1 Lägsta pris
IPI020N06NAKSA1 Sök
IPI020N06NAKSA1 Köp av
IPI020N06NAKSA1 Chip