Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPI034NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
Artikelnummer
IPI034NE7N3 G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Leverantörsenhetspaket
PG-TO262-3
Effektförlust (max)
214W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 155µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
117nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8130pF @ 37.5V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54477 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPI034NE7N3 G
IPI034NE7N3 G Elektroniska komponenter
IPI034NE7N3 G Försäljning
IPI034NE7N3 G Leverantör
IPI034NE7N3 G Distributör
IPI034NE7N3 G Datatabell
IPI034NE7N3 G Foton
IPI034NE7N3 G Pris
IPI034NE7N3 G Erbjudande
IPI034NE7N3 G Lägsta pris
IPI034NE7N3 G Sök
IPI034NE7N3 G Köp av
IPI034NE7N3 G Chip