onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NGTD21T65F2WP Trench Field Stop 650V IGBT 650V 45A FS2 Die

NGTD21T65F2WP

Trench Field Stop 650V IGBT 650V 45A FS2 Die
Artikelnummer
NGTD21T65F2WP
Kategori
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SMD
Förpackning
bagged
Antal paket
1
Beskrivning
Utilizing a durable and cost-effective field-stop II trench structure, this insulated-gate bipolar transistor (IGBT) provides excellent performance in demanding switching applications and also offers low on-state voltage and lowest switching losses .
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 75699 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NGTD21T65F2WP
NGTD21T65F2WP Elektroniska komponenter
NGTD21T65F2WP Försäljning
NGTD21T65F2WP Leverantör
NGTD21T65F2WP Distributör
NGTD21T65F2WP Datatabell
NGTD21T65F2WP Foton
NGTD21T65F2WP Pris
NGTD21T65F2WP Erbjudande
NGTD21T65F2WP Lägsta pris
NGTD21T65F2WP Sök
NGTD21T65F2WP Köp av
NGTD21T65F2WP Chip