onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NGTD20T120F2WP Trench Field Stop 1.2kV IGBT 1200V 20A FS2 Die

NGTD20T120F2WP

Trench Field Stop 1.2kV IGBT 1200V 20A FS2 Die
Artikelnummer
NGTD20T120F2WP
Kategori
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SMD
Förpackning
bagged
Antal paket
1
Beskrivning
Utilizing a durable and cost-effective field-stop II trench structure, this insulated-gate bipolar transistor (IGBT) provides excellent performance in demanding switching applications and also offers low on-state voltage and lowest switching losses .
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 91492 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NGTD20T120F2WP
NGTD20T120F2WP Elektroniska komponenter
NGTD20T120F2WP Försäljning
NGTD20T120F2WP Leverantör
NGTD20T120F2WP Distributör
NGTD20T120F2WP Datatabell
NGTD20T120F2WP Foton
NGTD20T120F2WP Pris
NGTD20T120F2WP Erbjudande
NGTD20T120F2WP Lägsta pris
NGTD20T120F2WP Sök
NGTD20T120F2WP Köp av
NGTD20T120F2WP Chip