Bild kan vara representation. Se specifikationer för produktinformation.
NGTD20T120F2SWK
IGBT 1200V 20A FS2 Bare Die
Artikelnummer
NGTD20T120F2SWK
Kategori
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SMD
Förpackning
bagged
Antal paket
1
Beskrivning
Utilizing a durable and cost-effective field-stop II trench structure, this insulated-gate bipolar transistor (IGBT) provides excellent performance in demanding switching applications and also offers low on-state voltage and lowest switching losses .
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.