onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NGTD17T65F2WP Trench Field Stop 650V IGBT 600V 40A FS2 Die

NGTD17T65F2WP

Trench Field Stop 650V IGBT 600V 40A FS2 Die
Artikelnummer
NGTD17T65F2WP
Kategori
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SMD
Förpackning
bagged
Antal paket
1
Beskrivning
This Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a rugged, cost-effective field-stop II trench structure and provides excellent performance for demanding switching applications, providing low on-state voltage and minimizing switching losses.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 56699 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NGTD17T65F2WP
NGTD17T65F2WP Elektroniska komponenter
NGTD17T65F2WP Försäljning
NGTD17T65F2WP Leverantör
NGTD17T65F2WP Distributör
NGTD17T65F2WP Datatabell
NGTD17T65F2WP Foton
NGTD17T65F2WP Pris
NGTD17T65F2WP Erbjudande
NGTD17T65F2WP Lägsta pris
NGTD17T65F2WP Sök
NGTD17T65F2WP Köp av
NGTD17T65F2WP Chip