Bild kan vara representation. Se specifikationer för produktinformation.
NGTD17T65F2WP
Trench Field Stop 650V IGBT 600V 40A FS2 Die
Artikelnummer
NGTD17T65F2WP
Kategori
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SMD
Förpackning
bagged
Antal paket
1
Beskrivning
This Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a rugged, cost-effective field-stop II trench structure and provides excellent performance for demanding switching applications, providing low on-state voltage and minimizing switching losses.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.